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作者进一步制造了场效应晶体管（FETs），南免并获得了102.6cm2V-1s-1的迁移率和450μAμm-1的饱和电流，是目前单层MoS2中的最高值。费景（c）生长的MoS2薄膜的AFM高度图像。
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